半導(dǎo)體微納線路刻蝕金屬鍍膜掩膜板光刻加工
平臺(tái)擁有光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、表征測(cè)試設(shè)備、器件后道封裝設(shè)備以及自主研發(fā)的超滑實(shí)驗(yàn)設(shè)備等共計(jì)200余臺(tái)套，其中主要設(shè)備40余臺(tái)?；谝延性O(shè)備，對(duì)外提供工藝整合、共同工藝開(kāi)發(fā)等技術(shù)服務(wù)。
目前已整合的先進(jìn)工藝包括：光刻（紫外光刻，激光直寫(xiě)，電子束光刻等）、鍍膜（PVD、CVD、ALD等）刻蝕（ICP、RIE、IBE、濕法等）、鍵合、 CMP、表征測(cè)試、封裝、材料制備＋器件工藝＋器件加工＋材料測(cè)試／器件測(cè)試。
提供業(yè)內(nèi)通用制造能力：硅通孔（TSV）和玻璃通孔（TGV）的加工，超滑器件加工測(cè)試，超疏水實(shí)驗(yàn)，特色MEMS器件加工，微納米光學(xué)、光電器件加工、微流控及柔性電極加工及測(cè)試。
為了地實(shí)現(xiàn)，我們會(huì)先根據(jù)你的圖紙進(jìn)行評(píng)估，提供圖紙修改建議，推薦合適的工藝與設(shè)備進(jìn)行加工。此外，我司承諾將在交付完成后，銷(xiāo)毀本地計(jì)算機(jī)中您的圖紙文檔記錄，對(duì)客戶(hù)隱私做到保護(hù)。
為了保證交付質(zhì)量，我們將提供成品質(zhì)量報(bào)告（通常為光學(xué)檢測(cè)報(bào)告）。但與此同時(shí)，我們額外提供成品的表面幾何參數(shù)的測(cè)量和機(jī)械特性測(cè)量。涵蓋構(gòu)件的三維尺寸、輪廓、膜厚、表面粗糙度、拉伸、傳動(dòng)特性、耐久性等測(cè)試。
實(shí)驗(yàn)室平臺(tái)擁有設(shè)備等共計(jì)200余臺(tái)，其中主要設(shè)備（40余臺(tái)）包括：
·圖形化設(shè)備
電子束曝光、激光直寫(xiě)、臺(tái)式接觸式光刻機(jī)、桌面式光刻機(jī)等
·薄膜沉積設(shè)備
ICP-PECVD、LPCVD、磁控濺射、電子束蒸發(fā)鍍膜、PE-ALD、DLC薄膜沉積等、電鍍 （Au、Ag、Cu、Ni、Sn等）
·刻蝕設(shè)備
ICP—RIE、RIE、IBE、DRIE深硅刻蝕、XeF2表硅刻蝕機(jī)、HF氣相刻蝕等干法刻蝕設(shè)備和滿(mǎn)足體硅、介質(zhì)膜、金屬氧化物、金屬等的濕法刻蝕設(shè)備以及相配套的二氧化碳超臨界釋放設(shè)備
·表征和測(cè)試設(shè)備
AFM、臺(tái)階儀、Raman光譜、SEM、FIB、共聚焦顯微鏡、白光干涉儀、紅外熱成像儀、FEMTO—TOOLS微納力學(xué)測(cè)試儀、超高速相機(jī)、3D多普勒激光測(cè)振儀、DC／RF探針臺(tái)（60GHZ）、網(wǎng)絡(luò)分析儀（60GHz）、半導(dǎo)體分析儀、阻抗分析儀以及高精度電學(xué)原表等
·器件后道封裝設(shè)備
晶圓減薄、CMP拋光、晶圓鍵合、貼片機(jī)、劃片機(jī)、打線機(jī)、固晶機(jī)、激光焊接機(jī)等團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)的加工設(shè)備，封測(cè)設(shè)備。
平臺(tái)技術(shù)能力
·工藝整合及平臺(tái)能力
—導(dǎo)電DLC膜層（超滑副，導(dǎo)電超硬膜層等）
—AIN／PZT薄膜工藝（壓電驅(qū)動(dòng)材料）
—大尺寸高定向碳材料生長(zhǎng)和器件加工工藝
—鍵合：陽(yáng)極鍵合、玻璃焊料鍵合、共晶鍵合（AIGe）、擴(kuò)散鍵合工藝
—?dú)夥栈蛘婵辗庋b、Reseal
—研磨減薄和原子級(jí)拋光工藝
—硅基全濕法微納加工工藝—柔性襯底微納器件加工
·制造與封測(cè)能力
—硅通孔（TSV）玻璃通孔（TGV）
—壓力／氣體／紅外／濕度傳感器
—微流控芯片加工和相關(guān)測(cè)試
一超滑射頻／慣性器件加工能力
—Die的全封裝能力
| 應(yīng)用類(lèi)別 | 設(shè)備名稱(chēng) | 設(shè)備型號(hào) | 工藝參數(shù) |
| 鍍膜 | 低壓力化學(xué)氣相沉積(LPCVD) | HORIS L6471-1 | 可沉積SIN，TEOS，poly等薄 膜 1-50片/爐 |
| 熱氧化 | 爐管熱氧化 | ||
| 退火 | 快速退火爐RTP | Annealsys AS-One 150 | 溫度到1500℃, 升溫速率 200℃/s |
| FIB加工 | 聚焦離子束 FIB | Thermo Fisher Scios 2 HiVac | |
| TEM樣品制備 | |||
| SEM形貌觀測(cè) | 場(chǎng)發(fā)射環(huán)境掃描電鏡ESEM | Thermo Fisher Quattro S | |
| SEM能譜分析 | |||
| 電子束蒸發(fā)鍍膜-金屬 | 電子束蒸發(fā) | FU-20PEB-950 | 蒸鍍金屬薄膜、可做lift-off工藝鍍膜、8寸基片向下兼容 |
| 電子束蒸發(fā)鍍膜-介質(zhì) | 電子束蒸發(fā) | FU-12PEB | 蒸鍍介質(zhì)薄膜一爐可鍍10片四寸基片 |
| 磁控濺射鍍膜-金屬 | 磁控濺射系統(tǒng) | FSE-BSLS-RD-6inch | 濺射金屬薄膜、6寸基片 |
| 原子層沉積 | 等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) | ICPALD-S200 | 當(dāng)前以Al2O3為主 |
| DLC鍍膜 | 類(lèi)金剛石薄膜化學(xué)沉積系統(tǒng) | CNT-DLC-CL200 | |
| 干法刻蝕 | 干法刻蝕機(jī) | 北方華創(chuàng) | 硅Bosch和超低溫刻蝕、SiO2與石英深刻蝕，8英以下 |
| IBE刻蝕 | 離子束刻蝕系統(tǒng)(IBE) | AE4 | 三維結(jié)構(gòu)材料刻蝕，刻蝕陡直度優(yōu)于85度，刻蝕精度10nm |
| 等離子體去膠 | 微波等離子體去膠機(jī) | Alpha Plasma | |
| 紫外光刻 | 紫外光刻機(jī) | SUSS MA6BA6GEN4 | 對(duì)準(zhǔn)精度：±0.5um，分辨率600nm |
| 電鍍 | 電鍍機(jī) | WPS-200MT | 鍍Cu、鍍Au、鍍鎳/鎳合金 |
| 臨界干燥 | 超臨界點(diǎn)干燥儀 | Automegasamdri-915B | |
| 劃片 | 切割機(jī)劃片機(jī) | Disco D323 | |
| 晶圓鍵合 | 晶圓鍵合機(jī) | SUSS MicroTec SB6Gen2 | 陽(yáng)極鍵合 |
| AFM測(cè)試 | 高分辨原子力顯微鏡 | Oxford Cypher ES | |
| 原子力顯微鏡 | Park Systems NX20 | ||
| 電子束光刻 | 電子束光刻機(jī) | Elionix ELS-F125G8 | 不含勻膠等費(fèi)用，材料費(fèi)根據(jù)用膠類(lèi)型另計(jì) |
我們提供快速MEMS器件 / 微納米結(jié)構(gòu)加工設(shè)計(jì)服務(wù), 歡迎留言咨詢(xún)。咨詢(xún)電話：400-877-0879
