1、高低溫沖擊試驗(yàn)箱可選擇二箱式或三箱式。
2、二箱設(shè)備區(qū)分為高溫區(qū)，低溫區(qū)兩部分，測(cè)試產(chǎn)品置于提籃中，沖擊時(shí)提籃將測(cè)試產(chǎn)品移進(jìn)高溫區(qū)或低溫區(qū)進(jìn)行沖擊，測(cè)試產(chǎn)品為動(dòng)態(tài)式
3、三箱設(shè)備區(qū)分為高溫區(qū)，低溫區(qū)，測(cè)試區(qū)三部分，測(cè)試產(chǎn)品完全靜止。采用獨(dú)特之蓄熱，蓄冷結(jié)構(gòu)，強(qiáng)制冷熱風(fēng)路切換方式導(dǎo)入測(cè)試區(qū)完成冷熱溫度沖擊測(cè)試可獨(dú)立設(shè)定高溫，低溫及冷熱沖擊三種不同條件之功能，執(zhí)行冷熱沖擊條件時(shí)，可選擇二箱或三箱之功能并具有高低溫試驗(yàn)箱的功能。
4、冷卻采用二元冷凍系統(tǒng)，降溫效果快速，冷卻方式為風(fēng)冷式或水冷式
*冷熱沖擊試驗(yàn)箱設(shè)備滿足以下標(biāo)準(zhǔn)*GB/T 10592 -2008 高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件
*GB/T 2423.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)A：低溫
*GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)B：高溫
*GB/T 5170.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 總則
*GJB 150.3A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第3部分：高溫試驗(yàn)
*GJB 150.4A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第4部分：低溫試驗(yàn)
*GJB 150.5A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第5部分：溫度沖擊試驗(yàn)
*GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗(yàn)方法 方法107 溫度沖擊試驗(yàn)
1、GJB150.3A－2009 高溫試驗(yàn)方法；
2、GJB150.4A－2009 低溫試驗(yàn)方法；
3、GJB150.9A-2009 濕熱試驗(yàn)方法；
4、GB/T10586-2006濕熱試驗(yàn)箱技術(shù)條件；
5、GB/T 10589- 低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件；
6、GB/T2423.3- (IEC68-2-3) 試驗(yàn)Ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法；
7、G/BT 2423.4- /IEC6008-2-30:2005試驗(yàn)Db:交變濕熱方法；
8、GBT 2424.5-2006 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 溫度試驗(yàn)箱性能確認(rèn)；
9、GBT 2424.6-2006 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 溫度 濕度試驗(yàn)箱性能確認(rèn)；
基本技術(shù)參數(shù)：
冷卻方式：水冷或風(fēng)冷
工作環(huán)境溫度：+5~+35度(性能保證環(huán)境溫度：+5~+25℃)
加熱器：鎳鉻合金電熱絲式加熱器
加濕器：SUS316制護(hù)套式加熱器（表面蒸發(fā)式）
溫傳感器：進(jìn)口傳感器
溫度范圍：0 ℃-150 ℃（0 ℃ -20 ℃-40 ℃-60 ℃-70 ℃）注：可任意調(diào)節(jié)
性能參數(shù)：
內(nèi)箱材質(zhì)：SUS 304#鏡面不銹鋼板.
外箱材質(zhì)：特殊防銹處理之鋼板噴塑或SUS 304#紋路處理之不銹鋼.
保溫層：PU發(fā)泡.底座：國(guó)標(biāo)角鐵+國(guó)標(biāo)槽鋼.標(biāo)準(zhǔn)配置：
測(cè)試孔(￠50x1只), 試料架(2組) .
功率（約Kw）：12 16 24 40 52 65
電源：AC3￠5W380V50HZ.
