Nd:YVO4晶體是制作半導(dǎo)體泵浦固體激光器的優(yōu)良激光晶體。Nd:YVO4的優(yōu)點(diǎn)是吸收系數(shù)高，受激發(fā)射截面大，吸收帶寬，吸收峰約808nm。由于這些優(yōu)點(diǎn)，小晶體可以用來制造更小的激光器件。Nd:YVO4晶體的另一個(gè)特點(diǎn)是它是單軸的，這使得它發(fā)出線性偏振光。與倍頻晶體相結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)綠、藍(lán)、紅三種波長(zhǎng)的全固態(tài)激光器。
參數(shù)
| 材料 | Nd: YVO4 |
| 濃度公差（atm％） | 0.5%, 1.1%, 2.0%, 3.0% |
| 取向 | A-cut or C-cut |
| 平行性 | 20〞 |
| 垂直性 | 5〞 |
| 表面質(zhì)量 | 符合MIL-O-13830 B的10/5劃痕/凹陷 |
| 波前失真 | <λ/8 @633nm |
| 表面平整度 | λ/10@ 633 nm |
| 通光孔徑 | >90% |
| 倒角 | ≤0.2mm@450 |
| 尺寸公差 | (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.2/-0.1mm) (L<2.5mm) |
| (W±0.1mm)x(H±0.1mm)x(L+0.5/-0.1mm) (L≥2.5mm) | |
| 角度公差 | ≤0.5° |
| 損傷閾值[GW / cm2] | >1 for 1064nm, TEM00, 10ns, 10Hz (AR-涂層) |
| 涂層 | HR@1064nm+532nm+HT@808nm/AR@1064nm+532nm |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 鋯石四方體，空間群D4h-I4 / amd |
| 晶格常數(shù) | a=b=7.12, c=6.29 |
| 密度 | 4.22g/cm3 |
| 熔點(diǎn) | 1825 |
| 導(dǎo)熱系數(shù)/（W·m-1·K-1 @ 25°C） | 5.2 |
| 熱光學(xué)系數(shù)（dn / dT） | dno/dT=8.5×10-6/K; dne/dT=2.9×10-6/K |
| 熱膨脹率/（10-6·K-1 @ 25°C） | a = 4.43, c= 11.4 |
| 硬度（莫氏） | 4~5 |
| 激光波長(zhǎng) | 1064nm, 1342nm |
| 偏振激光發(fā)射 | π偏振；平行于光軸（c軸） |
| 泵浦波長(zhǎng) | 808nm |
| 本征損失 | 0.02cm-1 @1064nm |
| 二極管泵浦光到光效率 | >60% |
| 發(fā)射截面 | 25×10-19cm2@1064nm |
| 熒光壽命 | 90 μs (大約50 μs for 2 atm% Nd 摻雜) @ 808 nm |
| 增益帶寬 | 0.96nm @1064nm |
| 折光率 | 1.9573(no); 2.1652(ne) @1064nm |
| 1.9721(no); 2.1858(ne) @808nm | |
| 2.0210(no); 2.2560(ne) @532nm | |
| 吸收系數(shù) | 31.4 cm-1 @ 808 nm |
| 吸收長(zhǎng)度 | 0.32 mm @ 808 nm |
| 增益帶寬 | 0.96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
