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● 一體化的光學(xué)調(diào)校
——所有光學(xué)元件只需要在初次安裝時(shí)
進(jìn)行調(diào)校，確保性和易用性
● 簡(jiǎn)單易用的雙光路設(shè)計(jì)
——可隨意在水平和垂直光路上進(jìn)行切
換，適用于各種常見的樣品形態(tài)
● 超寬光譜范圍**
——300nm-2200nm
● 視頻監(jiān)視光路
——可供精確調(diào)整測(cè)試點(diǎn)
● 獨(dú)有的發(fā)射光譜校正功能*
——讓光譜測(cè)量更且具有可比性
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● 多種激發(fā)波長(zhǎng)可選**
——325nm，405nm，442nm，
473nm，532nm，633nm，785nm等
● 自動(dòng)mapping功能可選*
——50mm×50mm測(cè)量區(qū)間，可定制
特殊規(guī)格
● 電致發(fā)光(EL)功能可選*
——擴(kuò)展選項(xiàng)
● 顯微拉曼光譜測(cè)量功能可選*
——擴(kuò)展選項(xiàng)
● 超低溫測(cè)量附件可選*
——提供10K以下的超低溫測(cè)量
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| *選配項(xiàng)，請(qǐng)?jiān)敿?xì)咨詢； **需根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行配置確定。 |
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
光致發(fā)光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可見或紅外輻射激發(fā)發(fā)光材料而產(chǎn)生的發(fā)光，在半導(dǎo)體材料的發(fā)光特性測(cè)量應(yīng)用中通常是用激光（波長(zhǎng)如325nm、532nm、785nm 等）激發(fā)材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）產(chǎn)生熒光，通過對(duì)其熒光光譜（即PL 譜）的測(cè)量，分析該材料的光學(xué)特性，如禁帶寬度等。光致發(fā)光可以提供有關(guān)材料的結(jié)構(gòu)、成分及環(huán)境原子排列的信息，是一種非破壞性的、高靈敏度的分析方法，因而在物理學(xué)、材料科學(xué)、化學(xué)及分子生物學(xué)等相關(guān)領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。傳統(tǒng)的顯微光致發(fā)光光譜儀都是采用標(biāo)準(zhǔn)的顯微鏡與熒光光譜儀的結(jié)合，但是傳統(tǒng)的顯微鏡在材料的PL 譜測(cè)量中，存在很大的局限性，比如無法靈活的選擇實(shí)驗(yàn)所需的激光器（特別對(duì)于UV 波段的激光器，沒有足夠適用的配件），無法方便的與超低溫制冷機(jī)配合使用，采用光纖作為光收集裝置時(shí)耦合效率太低等等問題，都是采用標(biāo)準(zhǔn)顯微鏡難以回避的問題。
北京卓立漢光儀器有限公司結(jié)合了公司十余年熒光光譜儀和光譜系統(tǒng)的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)和普遍用戶的實(shí)際需求，推出了“Flex One( 微光）”系列顯微光致發(fā)光光譜儀，有效的解決了上述問題，是目前市場(chǎng)上性價(jià)比的的顯微PL 光譜測(cè)量的解決方案。
系統(tǒng)組成
● 激發(fā)光源部分：紫外-近紅外波段各種波長(zhǎng)激光器
● 顯微光路部分：優(yōu)化設(shè)計(jì)的專用型顯微光路
● 光譜采集部分：影像校正光譜和高靈敏型科學(xué)級(jí)CCD或單點(diǎn)探測(cè)器和數(shù)據(jù)采集器
● 樣品臺(tái)支架部分：xyz三維可調(diào)樣品臺(tái)（手動(dòng)或自動(dòng)）、超低溫樣品臺(tái)
參數(shù)規(guī)格表：
| 主型號(hào) | Flex One | |||
|---|---|---|---|---|
| 光譜范圍 | 300-2200nm | |||
| 光譜分辨率 | 0.1nm | |||
| 激發(fā)光可選波長(zhǎng) | 325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等 | |||
| 探測(cè)器 | 類型 | 制冷型CCD 2000×256 |
制冷型InGaAs 512×1 |
制冷型InGaAs 512×1 |
| 有效范圍 | 300-1000nm | 800-1700nm | 800nm-2200nm | |
| 空間分辨率 | <100μm | |||
| 注*：以上為基本規(guī)格，詳細(xì)規(guī)格依據(jù)不同配置的選擇會(huì)有差異，詳情請(qǐng)咨詢！ | ||||
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● 樣品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于藍(lán)寶石襯底MOCVD 生長(zhǎng)的 InGaNGaN 量子阱
● 測(cè)試條件：325nm激發(fā)，功率30mW
● 光譜范圍：340-700nm
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1. 光致發(fā)光(PL)光譜測(cè)量
分別針對(duì)材料的正極( 紅色) 和負(fù)
極( 綠色) 測(cè)試得到光致發(fā)光光譜曲線
如下，GaN 的本征發(fā)光峰365nm 附近
以及黃帶，InGaN 的發(fā)光峰475nm 附近。
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2. 電致發(fā)光(EL)光譜測(cè)量
將材料的正負(fù)極接到直流電源的正
負(fù)極，電壓加到2.5V 時(shí)可以有明顯的
藍(lán)光發(fā)射，測(cè)量其電致發(fā)光光譜曲線如
下（紅色），峰值在475nm 附近。
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