摘要：本實用新型提供基于不等式約束的輔助電容集中式半橋MMC自均壓拓撲。半橋MMC自均壓拓撲，由半橋MMC模型和自均壓輔助回路聯(lián)合構建。半橋MMC模型與自均壓輔助回路通過輔助回路中的6N個機械開關發(fā)生電氣聯(lián)系，機械開關閉合，兩者構成基于不等式約束的輔助電容集中式半橋MMC自均壓拓撲，機械開關打開，拓撲等效為半橋MMC拓撲。在不強調兩種拓撲差異的情況下，自均壓輔助回路中的6N個機械開關可以省略，用導線替代，直接構成基于不等式約束的輔助電容集中式半橋MMC自均壓拓撲。該半橋MMC自均壓拓撲，不依賴于專門的均壓控制，能夠在完成直交流能量轉換的基礎上，自發(fā)地實現(xiàn)子模塊電容電壓的均衡，同時能相應降低子模塊觸發(fā)頻率和電容容值，實現(xiàn)半橋MMC的基頻調制。
- 專利類型實用新型
- 申請人華北電力大學;
- 發(fā)明人許建中;趙成勇;劉航;
- 地址102206 北京市昌平區(qū)回龍觀鎮(zhèn)北農(nóng)路2號
- 申請?zhí)?/b>CN201620068855.2
- 申請時間2016年01月25日
- 申請公布號CN205754042U
- 申請公布時間2016年11月30日
- 分類號H02M7/49(2007.01)I;
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