摘要：本實(shí)用新型公開了一種Bi-CMOS開關(guān)電路。該開關(guān)電路包括P型的第一MOS管（M1）和第二MOS管（M2），NPN型的第一雙極型晶體管（N1）、第二雙極型晶體管（N2）、第三雙極型晶體管（N3）、第四雙極型晶體管（N4）、第五雙極型晶體管（N5和第六雙極型晶體管（N6），參數(shù)相同的第一電阻（R1）、第二電阻（R2）、第三電阻（R3）和恒流源（JI）和電壓源（JV）。本實(shí)用新型的有益效果是：該Bi-COMS開關(guān)電路的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，在集成電路中所占面積較小，開關(guān)特性好。
- 專利類型實(shí)用新型
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- 發(fā)明人王曉娟;余力;
- 地址450016 河南省鄭州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)第八大街信息產(chǎn)業(yè)園1228室
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201220465578.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年09月13日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN202798629U
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2013年03月13日
- 分類號(hào)H03K17/687(2006.01)I;
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