摘要：本發(fā)明公開了一種表面減反自清潔結(jié)構(gòu)的制備方法，所述減反自清潔表面結(jié)構(gòu)制備方法包括表面電子束刻蝕和滲入侵蝕；所述表面電子束刻蝕是通過電子束轟擊鈰玻璃表面，在鈰玻璃表面進(jìn)行納米級網(wǎng)格劃分，每個網(wǎng)格為一個方形柱狀凸體，徑向尺寸在50?100nm；所述滲入侵蝕是通過配置侵蝕液，對電子束刻蝕后的方形柱狀凸體的根部進(jìn)行進(jìn)一步腐蝕，生成T型納米凸體結(jié)構(gòu)；所述侵蝕液主要包括氫氟酸、雙氧水、水。本發(fā)明的表面減反自清潔結(jié)構(gòu)具有納米T型空間結(jié)構(gòu)，入射光在納米T型結(jié)構(gòu)中多次折射后增加了透過光的比例，實現(xiàn)增透；表面的納米空隙結(jié)構(gòu)，具有疏水特性、可實現(xiàn)自清潔功能。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華北電力大學(xué);
- 發(fā)明人王簡;梁光勝;唐悅;燕富超;閆永恒;
- 地址102206 北京市昌平區(qū)北農(nóng)路2號
- 申請?zhí)?/b>CN201610840117.X
- 申請時間2016年09月21日
- 申請公布號CN106495497A
- 申請公布時間2017年03月15日
- 分類號C03C15/00(2006.01)I;C03C23/00(2006.01)I;
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