摘要：本發(fā)明涉及半導體材料領域，旨在提供一種多孔g?C3N4棒的制備方法。包括：將單氰胺燒結冷卻后，將產(chǎn)物研磨得到g?C3N4顆粒；分散于去離子水中攪拌，加氨水調(diào)節(jié)pH值后繼續(xù)攪拌，混合溶液移至反應釜中進行水熱反應；得沉淀離心洗滌、干燥，獲得g?C3N4棒；再分散于溶劑中超聲處理，滴加H2SO4水溶液后持續(xù)攪拌；在密閉條件下進行水浴攪拌處理后，再移至反應釜中進行水熱反應；沉淀洗滌、烘干，得到多孔g?C3N4棒。本發(fā)明通過采用一種簡單的無模板法制備得到多孔結構的棒狀g?C3N4，避免了傳統(tǒng)模板法繁瑣、不環(huán)保的制備工藝。解決了塊狀g?C3N4比表面積小、表面活性位點少、量子效率低的缺陷，提高其光催化性能。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人浙江大學;
- 發(fā)明人楊輝;尤增宇;申乾宏;王輝;秦天;
- 地址310058 浙江省杭州市西湖區(qū)余杭塘路866號
- 申請?zhí)?/b>CN201610854427.7
- 申請時間2016年09月27日
- 申請公布號CN106430125A
- 申請公布時間2017年02月22日
- 分類號C01B21/06(2006.01)I;B01J27/24(2006.01)I;
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