摘要：一種高效光電催化產(chǎn)氫電極的制備方法及應(yīng)用。該方法以三維硅納米柱為基底，利用光輔助?電化學(xué)沉積的方法，制備具有核?殼的p?Si/NiCoSex納米柱光陰極。無(wú)定型的NiCoSex?展現(xiàn)了優(yōu)異的電化學(xué)催化產(chǎn)氫性能(Tafel值約為39?mV/decade)和良好的透光性。該方法制備的p?Si/NiCoSex納米柱陣列光陰極在很大程度上增強(qiáng)了可見(jiàn)光的吸收和光生載流子的產(chǎn)生和利用。在100mW/cm2的模擬太陽(yáng)光下，其0?V（vs.RHE）下的光電流密度為?37.5?mA/cm2,是目前報(bào)道的以p?Si為基底的光陰極的最高值。該合成方法簡(jiǎn)單高效，綠色環(huán)保，并可推廣到合成其它過(guò)渡金屬硫族化合物，具有廣泛的科學(xué)意義。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人浙江大學(xué);
- 發(fā)明人張興旺;張紅秀;雷樂(lè)成;
- 地址310058 浙江省杭州市西湖區(qū)余杭塘路866號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201610837544.2
- 申請(qǐng)時(shí)間2016年09月21日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN106319556A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2017年01月11日
- 分類號(hào)C25B1/04(2006.01)I;C25B11/10(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;
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