摘要：本發(fā)明涉及一種基于窄帶半導(dǎo)體銻化銦的太赫茲圓偏振光產(chǎn)生方法，將銻化銦樣片低溫恒溫器中，待溫度穩(wěn)定后，將入射線偏振太赫茲波經(jīng)一線偏振片提高偏振度，聚焦后照射至銻化銦樣片的表面，并將一可調(diào)穩(wěn)定的磁場(chǎng)垂直加載于銻化銦樣片。根據(jù)入射太赫茲的頻率，通過調(diào)整磁場(chǎng)的入射加載方向以及大小，完成太赫茲圓偏振光的獲取。本發(fā)明所提出的一種基于窄帶半導(dǎo)體銻化銦的太赫茲圓偏振光產(chǎn)生方法，具有調(diào)制頻率寬、圓偏振出射完美以及偏振器件可調(diào)諧的優(yōu)點(diǎn)。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人福州大學(xué);
- 發(fā)明人王向峰;任志英;張生孔;陳盈;
- 地址350108 福建省福州市閩侯縣上街鎮(zhèn)大學(xué)城學(xué)園路2號(hào)福州大學(xué)新區(qū)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510968344.6
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年12月22日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN105549230A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年05月04日
- 分類號(hào)G02F1/09(2006.01)I;G02F1/01(2006.01)I;G02B27/28(2006.01)I;
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