摘要：本發(fā)明提供基于不等式約束的輔助電容集中式單箝位MMC自均壓拓?fù)?。單箝位MMC自均壓拓?fù)?，由單箝位MMC模型和自均壓輔助回路聯(lián)合構(gòu)建。單箝位MMC模型與自均壓輔助回路通過輔助回路中的6N個IGBT模塊發(fā)生電氣聯(lián)系，IGBT模塊觸發(fā)，兩者構(gòu)成基于不等式約束的輔助電容集中式單箝位MMC自均壓拓?fù)?，IGBT模塊閉鎖，拓?fù)涞刃閱误槲籑MC拓?fù)洹Ｔ搯误槲籑MC自均壓拓?fù)?，可以箝位直流?cè)故障，同時不依賴于專門的均壓控制，能夠在完成直交流能量轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)上，自發(fā)地實(shí)現(xiàn)子模塊電容電壓的均衡，同時能相應(yīng)降低子模塊觸發(fā)頻率和電容容值，實(shí)現(xiàn)單箝位MMC的基頻調(diào)制。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華北電力大學(xué);
- 發(fā)明人趙成勇;許建中;劉航;
- 地址102206 北京市昌平區(qū)回龍觀鎮(zhèn)北農(nóng)路2號
- 申請?zhí)?/b>CN201610047418.7
- 申請時間2016年01月25日
- 申請公布號CN105429491A
- 申請公布時間2016年03月23日
- 分類號H02M7/219(2006.01)I;H02M1/00(2007.01)I;H02J3/36(2006.01)I;
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