摘要：本發(fā)明屬于發(fā)光二極管器件制備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于反向結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法。本發(fā)明半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光二極管依次包括層疊的襯底、透明導(dǎo)電金屬氧化物電極層、電子注入層、量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴注入層和對(duì)電極層，其中涉及的電子注入層采用乙酰丙酮鈦膜材料。可采用旋涂等溶液加工的方法制備電子注入層，將乙酰丙酮鈦引入反向結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件制備中，實(shí)現(xiàn)了電子的有效注入；并且與傳統(tǒng)的正向結(jié)構(gòu)和溶膠凝膠法制備的二氧化鈦、氧化鋅相比，本發(fā)明具有發(fā)光顏色純、制備工藝簡(jiǎn)單，成本低廉，實(shí)驗(yàn)重復(fù)性和穩(wěn)定性好、適合于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)等特點(diǎn)。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
- 申請(qǐng)人華北電力大學(xué);
- 發(fā)明人譚占鰲;孫剛;屠逍鶴;侯旭亮;
- 地址102206 北京市昌平區(qū)朱辛莊北農(nóng)路2號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201410206672.8
- 申請(qǐng)時(shí)間2014年05月15日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103972416B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2017年02月08日
- 分類(lèi)號(hào)H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;
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