摘要：本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體激光器p面向下封裝的熱沉，包括基體材料層以及分別生長在基體材料層上下表面的上金屬層和下金屬層，所述上金屬層由絕緣隔離槽分離成各自獨(dú)立的第一正極電極、第二正極電極和負(fù)極電極，且所述第一正極電極用于給半導(dǎo)體激光器的脊形波導(dǎo)區(qū)提供工作時(shí)所需的電信號，所述第二正極電極用于給半導(dǎo)體激光器的錐形增益區(qū)提供工作時(shí)所需的電信號，所述負(fù)極電極連接半導(dǎo)體激光器的n面電極。本發(fā)明易實(shí)現(xiàn)帶p電極分離結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器的p面向下封裝，在使分離的p電極能獨(dú)立注入電信號的同時(shí)，增強(qiáng)了半導(dǎo)體激光器的散熱能力，延長了半導(dǎo)體激光器的壽命，還使器件易于與系統(tǒng)集成。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京牡丹電子集團(tuán)有限責(zé)任公司;
- 發(fā)明人李剛;張松;崔碧峰;徐旭紅;趙瑞;計(jì)偉;
- 地址100191 北京市海淀區(qū)花園路2號
- 申請?zhí)?/b>CN201410119889.5
- 申請時(shí)間2014年03月27日
- 申請公布號CN103887704B
- 申請公布時(shí)間2016年06月01日
- 分類號H01S5/024(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I;
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