摘要：一種多層存儲塊兼具單層存儲塊性能的方法包括在每個存儲單位上僅設置“0”和“1”兩個電位；模擬單層存儲塊的寫入方式將數(shù)據(jù)寫入多層存儲塊內(nèi)。本發(fā)明采用上述的技術(shù)方案，可以使MLC具有SLC高效的寫入性能，并且還具有SLC穩(wěn)定性好以及壽命長的特點。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人深圳市安信達存儲技術(shù)有限公司;
- 發(fā)明人李修錄;
- 地址518000 廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道陽光社區(qū)沙坑路偉豪工業(yè)園2棟廠房601-1
- 申請?zhí)?/b>CN201410065882.X
- 申請時間2014年02月26日
- 申請公布號CN103870214A
- 申請公布時間2014年06月18日
- 分類號G06F3/06(2006.01)I;G06F12/02(2006.01)I;
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