摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種調(diào)壓電路。該電路包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一電阻、第二電阻、可調(diào)電阻和肖特基勢(shì)壘二極管；所述第一NMOS晶體管的柵極通過(guò)第一電阻連接至電壓源并通過(guò)可調(diào)電阻連接至地，源極接地，漏極連接至肖特基勢(shì)壘二極管的負(fù)極端、第二NMOS晶體管的柵極以及通過(guò)第二電阻連接至電壓源；肖特基勢(shì)壘二極管的正極端接地；第二NMOS晶體管的源極接地，漏極作為輸出端的負(fù)極。體積較小、功耗小、速度高、適用于集成，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
- 專利類型發(fā)明專利
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- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201210374132.1
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年10月07日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103713677A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年04月09日
- 分類號(hào)G05F1/56(2006.01)I;
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