摘要：本發(fā)明公開(kāi)一種氣態(tài)硅源生長(zhǎng)二維硅烯薄膜的方法，采用化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積技術(shù)將硅原子基團(tuán)從氣態(tài)硅源中釋放在催化層上而形成硅烯薄膜；所述催化層的厚度為25nm～25mm，催化層溫度控制在20℃～1600℃之間。本發(fā)明方法簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn)。制備得到的硅烯薄膜是由三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)或七個(gè)硅原子為其重復(fù)單元并由共價(jià)鍵相連而成的二維層狀薄膜，所包含的硅烯的層數(shù)為1～200層。
- 專利類(lèi)型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人浙江大學(xué);
- 發(fā)明人徐明生;陳紅征;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201210353611.5
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年09月21日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103668453B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年12月21日
- 分類(lèi)號(hào)C30B29/06(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;
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