摘要：本發(fā)明公開一種氣態(tài)硅源生長二維硅烯薄膜的方法，采用化學氣相沉積或物理氣相沉積技術將硅原子基團從氣態(tài)硅源中釋放在催化層上而形成硅烯薄膜；所述催化層的厚度為25nm～25mm，催化層溫度控制在20℃～1600℃之間。本發(fā)明方法簡單、易于實現(xiàn)。制備得到的硅烯薄膜是由三個、四個、五個或七個硅原子為其重復單元并由共價鍵相連而成的二維層狀薄膜，所包含的硅烯的層數(shù)為1～200層。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人浙江大學;
- 發(fā)明人徐明生;陳紅征;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號
- 申請?zhí)?/b>CN201210353611.5
- 申請時間2012年09月21日
- 申請公布號CN103668453B
- 申請公布時間2016年12月21日
- 分類號C30B29/06(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;
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