摘要：本發(fā)明涉及一種鈀復(fù)合膜缺陷修補(bǔ)技術(shù)，通過氣相反應(yīng)使SiO2在膜缺陷處沉積，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)組件中的鈀膜直接進(jìn)行原位修補(bǔ)，而無需拆卸組件，為膜在使用過程中產(chǎn)生的缺陷提供了修補(bǔ)方案。本發(fā)明的具體技術(shù)方案為：將膜組件置于高溫爐內(nèi)，將硅源通入組件內(nèi)鈀復(fù)合膜的膜側(cè)，硅源蒸氣占據(jù)膜缺陷處，再向組件內(nèi)的鈀復(fù)合膜的基體側(cè)通入氧化性氣體，氧化性氣體在濃度差的驅(qū)使下向缺陷處移動(dòng)，并與硅源蒸氣接觸，快速反應(yīng)生成固體顆粒沉積在缺陷處，達(dá)到修補(bǔ)的目的。本發(fā)明解決了對(duì)于膜在使用過程中產(chǎn)生的缺陷的修補(bǔ)問題，可極大地延長(zhǎng)膜使用壽命，實(shí)用性更廣，操作方便。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人南京工業(yè)大學(xué);
- 發(fā)明人黃彥;黎月華;胡小娟;俞健;魏磊;魏浩;
- 地址210009 江蘇省南京市鼓樓區(qū)新模范馬路5號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201310721809.9
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年12月23日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103638821A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年03月19日
- 分類號(hào)B01D65/10(2006.01)I;C01B3/56(2006.01)I;
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