摘要：本發(fā)明提供了一種實(shí)現(xiàn)基于UBI的動(dòng)態(tài)磨損均衡的方法，該方法在原有基礎(chǔ)上通過修改文件系統(tǒng)有選擇的擦寫Flash芯片中的塊，使得芯片中各個(gè)塊均衡的被擦寫，從而延長(zhǎng)整塊Flash芯片的壽命。本發(fā)明提出“超齡區(qū)”和“虛年齡”的概念可以盡量減少有效數(shù)據(jù)遷移操作的發(fā)生，還可以有效的避免了有效數(shù)據(jù)遷移操作的副作用，從而不再需要新分塊數(shù)據(jù)保護(hù)措施，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，同時(shí)也降低了系統(tǒng)損耗。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人四川長(zhǎng)虹電器股份有限公司;
- 發(fā)明人李宗海;
- 地址621000 四川省綿陽市高新區(qū)綿興東路35號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201310105890.8
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年03月29日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103218306A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2013年07月24日
- 分類號(hào)G06F12/06(2006.01)I;
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