摘要：本發(fā)明屬于高新材料制備領(lǐng)域，具體公開一種MoSi2/Mo復(fù)合粉體及Mo-Si-B復(fù)合材料的制備方法。（1）根據(jù)所要求包裹層Mo的厚度，選定合適粒度的待處理粉體MoSi2，其原則為粉體MoSi2的粒度為包裹層Mo厚度的3~5倍，粒度和厚度單位均為微米；（2）真空處理粉體MoSi2：真空度為10-2~10-4Pa，處理溫度為1400~1600℃，處理時(shí)間由公式h=Kt1/2確定，其中h--包裹層Mo厚度，單位為微米，K--與材料性質(zhì)、處理溫度有關(guān)的常數(shù)，t為處理時(shí)間，單位為小時(shí)；（3）將處理過的粉體，通過粉末冶金的方法制備Mo-Si-B復(fù)合材料。本發(fā)明方法可以實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料中第二相含量的控制，避免復(fù)合材料中第二相的偏析，可以實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料組織結(jié)構(gòu)的最優(yōu)化，從而來改善復(fù)合材料的綜合性能。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人鄭州嵩山電熱元件有限公司;
- 發(fā)明人郜劍英;鄭國(guó)軍;
- 地址452483 河南省登封市三里莊高新技術(shù)工業(yè)園區(qū)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201110051907.7
- 申請(qǐng)時(shí)間2011年03月04日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102134659B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2012年09月19日
- 分類號(hào)C22C1/04(2006.01)I;C22C29/18(2006.01)I;B22F1/02(2006.01)I;
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