摘要：本發(fā)明公開了一種低電壓緩啟動(dòng)電路，包括晶體管MOS1和控制回路，所述晶體管MOS1為N-channel?MosFET，晶體管MOS1的漏極接主輸入電壓Vin1，晶體管MOS1的源極接輸出電壓Vout，晶體管MOS1的柵極接控制回路，控制回路的另一端與輔助輸入電壓Vin2相連，由于采用了有差值且差值大于晶體管MOS1的閾值電壓的兩路輸入電壓Vin1和Vin2，使得晶體管MOS1能夠正常導(dǎo)通，又由于控制回路控制晶體管MOS1的導(dǎo)通時(shí)間，并使輸出電壓平滑上升，從而實(shí)現(xiàn)低電壓緩啟動(dòng)和時(shí)序控制的功能，同時(shí)也解決了輸出電壓出現(xiàn)打嗝現(xiàn)象的問題。
- 專利類型發(fā)明專利
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- 發(fā)明人梁紅濤;賴增茀;鄭維;
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- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN200910194277.1
- 申請(qǐng)時(shí)間2009年12月01日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN101739112B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2013年08月21日
- 分類號(hào)G06F1/30(2006.01)I;
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