摘要：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體可飽和吸收鏡及其制備方法及光纖激光器。所述半導(dǎo)體可飽和吸收鏡包括：襯底；制作在所述襯底上的反射鏡及制作在所述反射鏡上的吸收層，所述反射鏡為由多對高低折射率層構(gòu)成的布拉格反射鏡；所述吸收層包括若干個(gè)吸收子層，每一吸收子層同與其晶格匹配的緩沖層交互生長，所述緩沖層為透明半導(dǎo)體層；所述吸收子層的厚度相同。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體可飽和吸收鏡為高一致性寬帶高調(diào)制深度半導(dǎo)體可飽和吸收鏡，通過提高帶寬范圍內(nèi)調(diào)制深度的一致性，增加了使用帶寬，利用半導(dǎo)體可飽和吸收鏡來啟動(dòng)鎖模從而得到穩(wěn)定的鎖模脈沖輸出。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京大學(xué);北京國科世紀(jì)激光技術(shù)有限公司;
- 發(fā)明人陳玲玲;張夢;張志剛;樊仲維;
- 地址100871北京市海淀區(qū)頤和園路5號(hào)
- 申請?zhí)?/b>CN200910088161.X
- 申請時(shí)間2009年07月03日
- 申請公布號(hào)CN101635431A
- 申請公布時(shí)間2010年01月27日
- 分類號(hào)H01S3/098(2006.01)I;H01S3/067(2006.01)I;H01S3/0941(2006.01)I;H01S3/08(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I;H01S3/10(2006.01)I;H01S3/101(2006.01)I;H01S3/063(2006.01)I;
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