摘要：本發(fā)明提供一種輻射成像探測(cè)器，包括若干個(gè)探測(cè)單元以雙列相對(duì)交錯(cuò)方式排列而成，所述探測(cè)單元采用鍺酸鉍晶體與光電倍增管耦合的方式，具體包括有鍺酸鉍晶體、晶體套筒、光電倍增管、管套筒、管座及電路模塊和接口底盤，其中所述光電倍增管、管座及電路模塊設(shè)于管套筒內(nèi)，所述鍺酸鉍晶體外表包覆晶體套筒并與管套筒內(nèi)的光電倍增管耦合，所述管套筒的另一端設(shè)有上述接口底盤，所述光電倍增管與該接口底盤之間通過上述管座及電路模塊相連接。該種輻射成像探測(cè)器，適用于低強(qiáng)度輻射源條件下的輻射成像探測(cè)，可降低對(duì)環(huán)境的輻射影響，減小對(duì)相關(guān)人員的電離輻射傷害，且具有很好的抗惡劣氣候環(huán)境的能力，制造成本低，具有很好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人公安部第一研究所;北京中盾安民分析技術(shù)有限公司;
- 發(fā)明人陳力;董國(guó)平;金川;韓其芳;黃校垣;曹琴琴;
- 地址100044 北京市海淀區(qū)首體南路1號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN200710302018.7
- 申請(qǐng)時(shí)間2007年12月19日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN101196480B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2011年05月11日
- 分類號(hào)G01T1/20(2006.01)I;
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