摘要：本發(fā)明提供一種閃存的存儲塊的標識方法，將存儲塊的標識區(qū)分為邏輯地址標識區(qū)、數(shù)據(jù)狀態(tài)標識區(qū)及讀寫控制區(qū)，邏輯地址標識區(qū)對應(yīng)標識數(shù)據(jù)區(qū)的邏輯地址標識，數(shù)據(jù)狀態(tài)標識區(qū)分別對應(yīng)標識數(shù)據(jù)區(qū)的為空、忙、擦除狀態(tài)，讀寫控制區(qū)對應(yīng)記錄數(shù)據(jù)區(qū)的存儲、待寫、擦除狀態(tài)。當需寫入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)存儲有數(shù)據(jù)時，省略了寫入過程中需先等待該數(shù)據(jù)區(qū)進行擦除的操作時間，提高閃存的數(shù)據(jù)寫入速度。當閃存處于非讀寫數(shù)據(jù)時，對讀寫控制區(qū)為擦除的數(shù)據(jù)區(qū)進行擦除操作，并對擦除后的數(shù)據(jù)區(qū)按損耗均衡算法進行排序，同時更新數(shù)據(jù)區(qū)的邏輯地址標識區(qū)，提高閃存操作效率的同時保證了閃存的使用壽命。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京華旗資訊數(shù)碼科技有限公司;北京華旗數(shù)碼技術(shù)實驗室有限責任公司;
- 發(fā)明人周朝暉;梁煒;
- 地址100080北京市海淀區(qū)北四環(huán)西路58號理想國際大廈11層
- 申請?zhí)?/b>CN200610113624.X
- 申請時間2006年10月10日
- 申請公布號CN101162608A
- 申請公布時間2008年04月16日
- 分類號G11C16/06(2006.01);
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京公網(wǎng)安備11010802043465號
