摘要：本發(fā)明涉及一種保偏光纖耦合器的制造方法；去除光纖包層外面的部分涂覆層；對每根光纖去除涂覆層的部分進(jìn)行拉細(xì)化處理；將多根光纖進(jìn)行拉細(xì)化后的部分靠在一起進(jìn)行熔融拉錐處理；其中，在拉細(xì)化處理過程中，沿所述光纖的軸向截去部分包層，且截除部分在沿光纖徑向的厚度小于光纖的半徑。本發(fā)明保偏光纖耦合器的制造方法可適用于各種型號的保偏光纖。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人深圳朗光科技有限公司;
- 發(fā)明人羅群標(biāo);楊新榮;朱少軍;岳超瑜;
- 地址518040廣東省深圳市福田區(qū)天安數(shù)碼城天展大廈B座2樓
- 申請?zhí)?/b>CN200610063123.5
- 申請時間2006年10月13日
- 申請公布號CN101162281A
- 申請公布時間2008年04月16日
- 分類號G02B6/26(2006.01);
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