低維磁性材料具有非常豐富和奇特的物理性質(zhì)，且與多鐵性和高溫超導(dǎo)電性等材料密切相關(guān)。對(duì)低維磁性材料的物理性質(zhì)進(jìn)行研究有助于探索相關(guān)奇異現(xiàn)象的根本機(jī)制，從而對(duì)尋求新的功能材料提供幫助。因此，近年來關(guān)于低維磁性材料的研究吸引了科學(xué)家們的廣泛關(guān)注。
近日，德國(guó)馬普固體化學(xué)物理研究所的學(xué)者A. C. Komarek等人[1,2]在準(zhǔn)一維伊辛自旋鏈材料CoGeO3中發(fā)現(xiàn)了非常明顯的1/3磁化平臺(tái)，并通過中子衍射手段詳細(xì)探究了其微觀自旋結(jié)構(gòu)。研究表明，zui初的零場(chǎng)反鐵磁自旋結(jié)構(gòu)的變化，類似于反鐵磁“疇壁邊界”的形成，從而產(chǎn)生一種具有1/3整數(shù)傳播矢量的調(diào)制磁結(jié)構(gòu)。凈磁矩出現(xiàn)在這些“疇壁”上，而所有反鐵磁鏈排列的三分之二仍然可以保留。同時(shí)A. C. Komarek等人也提出了一個(gè)基于各向異性受挫方形晶格的微觀模型來解釋其實(shí)驗(yàn)結(jié)果。更為詳細(xì)的報(bào)道可參考相關(guān)文獻(xiàn)[1,2]。
A. C. Komarek等人所用的CoGeO3單晶樣品由高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐(型號(hào)：HKZ, 制造商：德國(guó)ScIDre公司)制備獲得[2]，文章中報(bào)道的CoGeO3單晶生長(zhǎng)參數(shù)為：Ar/O2混合氣（比例98:2），壓力80 bar，生長(zhǎng)速度3.6 mm/hour。
CoGeO3單晶實(shí)物圖片 引自[2]
德國(guó)ScIDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐至高可實(shí)現(xiàn)3000℃及以上的生長(zhǎng)溫度，晶體生長(zhǎng)腔至大壓力可達(dá)300 bar，可實(shí)現(xiàn)10-5mbar的高真空環(huán)境，適用于生長(zhǎng)各種超導(dǎo)材料、介電材料、磁性材料、電池材料等各種氧化物及金屬間化合物單晶生長(zhǎng)。
德國(guó)ScIDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐外觀圖
參考文獻(xiàn)：
[1] Emergent 1/3 magnetization plateaus in pyroxene CoGeO3, H. Guo, L. Zhao, M. Baenitz, X. Fabrèges, A. Gukasov, A. Melendez Sans, D. I. Khomskii, L. H. Tjeng, and A. C. Komarek, Phys. Rev. Research 3, L032037
[2] Single Crystal Growth and Physical Properties of Pyroxene CoGeO3，Zhao, L.; Hu, Z.; Guo, H.; Geibel, C.; Lin, H.-J.; Chen, C.-T.; Khomskii, D.; Tjeng, L.H.; Komarek, A.C. Crystals 2021, 11, 378.
相關(guān)產(chǎn)品：
